本报讯 近日，Marvell宣布推出全球首款基于2nm工艺的定制静态随机存取存储器（SRAM）。该产品专为提升定制化加速处理器（XPUs）及相关设备性能而设计，旨在满足云数据中心和人工智能集群日益增长的算力需求。

这款全新的2nm定制SRAM集成了Marvell先进的定制电路设计与软件技术，结合核心SRAM架构与前沿2nm制程工艺，最高可提供6.4Gbit/s的传输速率。在同等密度下，其功耗和芯片面积显著降低，为高性能计算系统提供了更高的能效比与空间利用率。

Marvell表示，此次推出的定制SRAM是其为优化加速计算基础设施内存层级性能所做出的创新。此前，该公司已推出用于定制硅芯片的CXL技术，以向云服务器添加TB级内存和额外计算能力，并发布了可将内存容量提升33%，同时减少HBM堆叠空间与功耗的定制HBM技术。

凭借业内最高的每平方毫米带宽，Marvell的2nm定制SRAM可帮助芯片设计者节省多达15%的芯片总面积。这一“释放”的空间可用于集成更多计算核心、扩展内存容量、缩小设备尺寸与成本，或根据特定性能、应用场景及总体拥有成本目标进行灵活配置。此外，该SRAM采用创新的数据路径与架构设计，在同等密度下功耗较传统片上SRAM降低高达66%，频率可达3.75GHz。

Marvell定制云解决方案高级副总裁Will Chu表示：“定制化是AI基础设施的未来。如今超大规模企业用于开发尖端定制XPUs的方法和技术，将在未来渗透到更广泛的客户群体、设备类型和应用场景中。”

随着过去50年来通过不断缩小晶体管尺寸提升芯片性能的方式逐渐接近物理极限，半导体行业正转向定制化硅芯片设计，以更好地匹配用户的独特架构需求。Marvell的定制SRAM正是其在这一趋势下的又一重要布局，标志着定制硅芯片时代的进一步深化。（马 文）