本报讯 7月27日，三星电子半导体透露，下一代HBM5内存的基础芯片将采用GAA（全环绕栅极）结构的2纳米制程，并实现更高集成度的TSV硅通孔互连。据悉，HBM5的运行速度目标较HBM4E提升50%以上，因此在基础芯片上必须引入能在速度与电力效率两个维度均实现大幅跃升的最先进制程。这是三星迄今对外阐述的最明确的HBM5技术规格与制程路线图。

三星同时披露，其代工部门已于2025年下半年启动2纳米第一代工艺量产，计划2026年下半年量产性能与良率进一步提升的第二代2纳米工艺，已获得特斯拉车规级2纳米产品订单。三星将HBM产品定位为“交钥匙”解决方案——核心芯片由内存部门制造，基础芯片由代工部门生产，先进封装由TSP部门完成，全流程内部协同。以HBM4基础芯片为例，从首批样品便同时达成性能与良率目标，整个过程仅历时约三个月。

HBM5路线图的明确化，恰逢AI算力供应链从“按需采购”转向“超长期产能锁定”的关键节点。同日，Anthropic正式向SK海力士提出存储半导体供应需求，用于制造其自研芯片。此外，SK集团还计划在未来五年内额外寻求2500亿美元的全球存储供应合作，进一步巩固其在AI存储供应链中的核心地位。（李 平）