本报讯 近日，三星电子在其半导体研究所成功完成了400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。同时，三星也自上个月开始，将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中的大规模生产线。

据悉，三星电子计划于2025年2月在美国举行的2025年国际固态电路会议（ISSCC）上详细介绍其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash闪存，并且预计将于2025年下半年正式开始量产。

除了400层NAND Flash闪存之外，三星电子将于2025年增加其先进內存产品线的产量。其中，三星电子计划在平泽园区安装新第9代（286层堆叠）的NAND Flash闪存生产设施，月产能为3万~4万片晶圆。此外，在中国西安工厂，三星继续将128层堆叠（V6）NAND Flash闪存生产线转换为236层堆叠（V8）NAND Flash闪存产品制程。

业内人士表示，三星电子400层堆叠NAND Flash闪存的开发代表了相关技术的重大进步。三星电子准备大规模生产400层堆叠TLC NAND Flash闪存的同时，也专注于优化晶圆良率。目前400层NAND Flash研发阶段的良率为10%~20%。该技术成功转移到生产线后，良率的持续提升对于达成更高的产量和满足市场需求将成为关键因素。

三星电子目前在全球NAND Flash闪存市场占有率处于领先的位置，市占率为36.9%。 （星 文）