本报讯 美光科技近日宣布，其HBM3E内存已开始量产，并将应用于英伟达H200 Tensor Core GPU，该GPU预计于今年第二季度开始发货。

资料显示，美光科技HBM3E内存基于1β工艺，采用TSV封装、2.5D/3D堆叠，可提供1.2 TB/s及更高的性能。据了解，美光HBM3E拥有超过9.2Gb/s的针脚速率、超过1.2 TB/s的内存带宽，可满足人工智能加速器、超级计算机和数据中心的需求。与竞品相比，美光HBM3E功耗降低了约30%，在提供最大吞吐量的前提下将功耗进一步降低，有效改善了数据中心运营支出指标。此外，美光HBM3E目前可提供24GB容量，可帮助数据中心轻松扩展其AI应用，无论是训练大规模神经网络还是加速推理任务都能提供必要的内存带宽。

美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示：“人工智能工作负载严重依赖内存带宽和容量，在这方面美光科技处于有利位置，通过美光HBM3E和HBM4以及完整的DRAM和NAND解决方案来支撑未来人工智能产业的显著增长。”

业内人士分析称，HBM是美光科技最赚钱的产品之一，部分原因在于其构造所涉及的技术复杂性。美光科技此前曾表示，预计2024财年HBM收入可达到“数亿”美元，并在2025年继续增长。 （美 宣）