本报讯 美国芯片制造商美光（Micron Technology）首席商务官苏密特·萨达纳日前表示，该公司将于今年年底前在其位于日本广岛的工厂开始大规模生产先进的DRAM内存芯片。美光公司已经宣布计划开始在中国台湾使用其“1beta”技术生产动态随机存取存储器。

萨达纳在接受采访时没有透露广岛工厂的投资规模，但他说制造这种芯片通常需要新的设备和洁净室。预计美光将根据政府补贴和其他因素来决定其投资规模。

1α（alpha）制程DRAM的存储器容量较前一代（1z制程）提高40%，而1beta是1alpha的改良版。预计它将被用于高端智能手机和其他高性能设备中。据悉，美光日本广岛工厂是其在2013年收购尔必达（ELPIDA）时取得的，之后积极进行投资，目前广岛工厂厂区内已无增设厂房的空间。

萨达纳说，在日本生产有许多积极因素，比如该国成熟的半导体产业和广岛的人才库。他说，美光打算继续在日本生产最先进的芯片。

美光公司在2021年宣布，计划于未来10年在全球范围内投资1500亿美元用于内存制造和研发。随着该公司制定的1beta生产计划，行业观察家们正在关注它将在哪里生产下一代的1gamma DRAM，该产品的目标是在2024年进行大规模生产。

据悉，1gamma生产使用极紫外光刻技术，它是一种对制造最细小的电路图案至关重要的技术。美光公司将于今年晚些时候在其位于中国台湾的台中工厂引进EUV设备。

美光研发总部位于美国，制造基地主要在中国台湾地区和日本广岛。目前美光正积极在日本扩建DRAM新厂，投资总额将达6000亿至8000亿日元。