本报讯 英特尔与美光共同宣布，在完成第三代3D NAND Flash研发后，双方将开启各自的研发之路，双方目前共同研发的第二代产品为64层3D NAND Flash，预计第三代将可堆栈96层，也意味着96层以后3D NAND Flash的产品研发，Intel将正式与美光分道扬镳。尽管这项决议不会对双方后续的制程提升、产品规划产生重大影响，但在确定分家之后，双方将有更大的弹性寻求新的合作伙伴。

根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）调查，英特尔与紫光集团正积极研拟后续合作计划，双方可望建立正式销售合作关系。