本报讯 近日，CFM闪存市场发布的《2026年第一季度DRAM/NAND Flash营收市占排名》中显示，2026年第一季度，全球存储行业进入AI驱动的结构性景气上行周期，市场依然由卖方主导。需求端，AI算力建设及Agentic AI应用拉动数据中心长期供货协议（LTA）陆续落地，HBM、服务器DRAM与企业级SSD优先抢占产能，消费及移动端需求被动受压。供给端，原厂持续优化产品结构，向高附加值AI存储倾斜，而新增有效产能释放周期较长，短期供需缺口持续存在。

当前，DRAM与NAND合约价格环比大幅上行，原厂议价能力显著提升，紧缺涨价格局仍具备较强延续性。据CFM闪存市场分析，2026年第一季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达1371.4亿美元，环比增长81.6%，同比增长245%，再创历史季度新高。其中，全球DRAM市场规模943.25亿美元，环比增长81.5%。数据中心需求激增已导致DRAM供应紧张，HBM占据大部分产能进一步挤占其他DRAM供给，推动第一季度DDR/LPDDR产品ASP大幅上涨，目前通用型DDR利润率已超过HBM。

排名方面，三星、SK海力士、美光仍占据前三甲，第一季度市场份额分别为40.5%、29.6%、19.9%。长鑫存储市场份额提升至7.7%，排名第四。

随着企业级SSD需求倍增并仍在加速，尽管消费类需求现疲软迹象，但不改整体供不应求的局面，2026年第一季度全球NAND Flash市场规模为428.15亿美元，环比增长81.8%。

排名方面，三星、SK海力士、铠侠、闪迪、美光位列前五，第一季度市场份额分别为29.7%、17.6%、14.9%、13.9%、11.7%。（幸 稳）