本报讯 记者杨鹏岳报道：近日，日本晶圆代工厂Rapidus宣布启动2nm制程晶圆的测试生产，并计划推动其IIM-1厂区的2nm制程在2027年量产。

据了解，Rapidus的IIM-1厂区已经展开对采用2nm环绕栅极（GAA）晶体管技术的测试晶圆进行原型制作。Rapidus公司表示，早期测试的晶圆已达到预期的电气特性，设备运作正常，制程技术开发进展顺利。

原型制作是半导体生产中的一个重要步骤，目的在验证使用新技术制造的早期测试电路是否可靠、高效并达到性能目标。Rapidus目前正在测量其测试电路的电气特性，包括临界电压、驱动电流、漏电流、次临界斜率、开关速度、功耗和电容等参数。尽管Rapidus未公开具体结果，但测试晶圆已在晶圆厂内流动本身就意义重大。

根据之前披露的信息显示，Rapidus的IIM-1厂区自2023年9月动工，无尘室于2024年完成，截至2025年6月已连接超过200套设备，包括先进的DUV和EUV光刻工具。Rapidus于2024年12月安装了先进的EUV工具，并于2025年4月成功进行了首次曝光。目前，该厂区已足够成熟运行测试晶圆，让Rapidus测量其GAA构架电路的电气特性，以识别潜在的制程问题，并调整工具或制造步骤的设定。

Rapidus特别提到，其IIM-1 厂区将对所有前段制程步骤采用“单晶圆处理”方法。这是一种半导体制造方法，其中每片晶圆都是单独处理、加工和检查，而非以组合方式进行。

为了支持早期客户，Rapidus正在准备于2026年第一季度发表其制程开发套件（PDK）的第一个版本。