本报讯 近日，英飞凌宣布其在 300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。

当前，氮化镓半导体凭借更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率损耗，可实现更紧凑的设计，从而减少智能手机充电器、工业和人形机器人，以及太阳能逆变器等电子设备的能耗和热量产生。Yole Group预测，到2030年，GaN在功率应用领域的收入将以每年36%的速度增长，达到约25亿美元。

英飞凌的生产策略主要以IDM模式为主，即拥有从设计到制造和销售最终产品的整个半导体生产流程。凭借其技术领先优势，英飞凌已成为首家在现有大批量生产基础设施内成功开发出300mm GaN功率晶圆技术的半导体制造商。与现有的 200mm晶圆相比，300mm晶圆上的芯片生产在技术上更加先进，效率也显著提高，因为更大的晶圆直径可使芯片生产效率提高2.3倍。英飞凌的产品组合可以满足基于GaN的功率半导体在工业、汽车、消费、计算和通信等领域快速普及，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及电机控制系统等。

英飞凌科技氮化镓业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“英飞凌全面扩大的300mm GaN生产规模将帮助我们更快地为客户提供更高价值的产品，同时推动实现Si和GaN同类产品的成本持平。”

（姬晓婷）