本报讯 记者许子皓报道：近日，中微公司举办了2024年度暨2025年第一季度业绩说明会，中微公司董事长兼总经理尹志尧在会上表示：“经过20多年的努力，公司已组建了超过千人的研发团队，并且十分全面。10年前，我们一般需要3到5年开发一个新产品，再花两年时间进入市场。但现在，只需要大约18个月，最多两年就能完成新品研发，半年到一年就可以量产并进入市场。”

据了解，中微公司在2024年实现营业收入约90.65亿元，较2023年增加约28.02亿元，在近4年营业收入年均增长大于40%的基础上，2024年营业收入同比增长约44.73%。其中，刻蚀设备收入约72.77亿元，在最近4年收入年均增长超过50%的基础上，2024年同比增长约54.72%。

尹志尧表示，2024年中微公司研发总投入达到24.5亿元，同比增长94.3%，占营业收入比例约为27%，高于科创板上市公司平均研发投入。

目前，中微公司累计已有超过6000台等离子和化学薄膜的反应台，在国内外137条生产线实现量产和大规模重复性销售。尹志尧指出，公司的CCP（电容耦合等离子体）高能等离子体刻蚀设备和ICP（电感耦合等离子体）低能等离子体刻蚀设备已覆盖国内95%以上的刻蚀应用需求，并成功在5纳米及更先进制程的国际领先产线中实现规模量产。此外，公司为先进存储器件和逻辑器件开发的6种LPCVD薄膜设备已顺利进入市场，2024年收到约4.76亿元批量订单，实现销售收入约1.56亿元。

在泛半导体领域，中微公司的MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备持续领跑全球市场，占据氮化镓基LED照明设备80%以上份额，碳化硅功率器件外延设备目前已经进入生产验证阶段，氮化镓Micro LED蓝绿光设备已经被核准并进入生产，氮化镓功率器件外延设备、砷化镓红黄光设备将在今年进入生产。

在研项目方面，尹志尧介绍道，公司根据市场及客户需求，加大研发力度，在研项目涵盖六大类，超过二十款新设备的开发，包括新一代CCP高能等离子体刻蚀设备、ICP低能等离子体刻蚀设备、晶圆边缘刻蚀设备、LPCVD及ALD薄膜设备、硅和锗硅外延EPI设备、新一代等离子体源的PECVD设备和电子束量检测设备等。2025年第一季度，公司研发投入同比增长90.53%至6.87亿元。

展望未来，尹志尧表示，目前中微公司可以覆盖30%的集成电路设备。而在今后5到10年内，中微公司将与合作伙伴共同覆盖60%的集成电路高端设备，包括刻蚀、薄膜及量检测的全部设备，以及一部分湿法设备，成为平台式的集团公司，并向着2035年成为全球第一梯队半导体设备公司的目标而努力。