本报讯 近日，三星电子表示，正积极筹备在其华城工厂新建1c DRAM（第六代10nm级DRAM）量产线，预计最早在今年年底完成投资部署。同时，1c DRAM将是应用于三星电子“HBM4（第六代高带宽存储器）”的关键产品。专家认为，三星电子在最新HBM的商业化上遇到困难，目前正表现出积极的量产意愿。

此前，三星电子已在平泽第四园区（P4）开启了第一条1c DRAM量产线的建设工作，规划产能为每月3万片晶圆。随着市场对高性能DRAM需求的不断攀升，尤其是在人工智能、大数据中心及高性能计算等领域，三星决定进一步扩大产能布局。据悉，三星计划在今年下半年增加对平泽P4工厂的投资，将1c DRAM产能至少提升至每月4万片。同时，针对华城工厂的扩产计划也在稳步推进，其中将把华城17号线从原本生产1z（10纳米级第三代）DRAM，转换为1c DRAM生产线，这一转换投资有望在今年年底启动。

1c DRAM作为三星电子面向未来存储市场的关键产品，具有极为重要的战略意义。其不仅代表着三星在DRAM技术上的又一次重大突破，更小的工艺节点与更高的集成度，让1c DRAM在性能与能效上远超前代产品，能显著提升数据处理速度与存储效率。更关键的是，1c DRAM将作为三星电子“HBM4”的核心组件，助力三星在高带宽内存领域继续保持领先优势。与SK 海力士和美光等竞争对手在HBM4产品中采用1b DRAM不同，三星押注1c DRAM，旨在通过技术领先实现产品性能的大幅提升，满足不断增长的AI计算及其他前沿领域对内存性能的要求。

从市场层面来看，随着5G通信、人工智能、云计算等新兴技术的迅猛发展，全球对于高性能存储芯片的需求呈现出爆发式增长态势。三星电子此次扩产1c DRAM，正是精准把握市场趋势，提前布局，有望进一步巩固其在全球DRAM市场的领导地位，提升市场份额。（轩 文）