本报讯 4月16日，美国专门从事传感器、电源和高压半导体代工厂商Polar Semiconductor（以下简称“Polar”）宣布，已与瑞萨电子达成一项战略协议，授权其硅基氮化镓D型（GaN-on-Si）技术。

作为该协议的一部分，Polar将在其位于明尼苏达州的8英寸（200毫米）车规级量产工厂为瑞萨电子和其他客户生产高压650V硅基氮化镓器件。该工厂最近引进了最先进的加工和自动化设备，旨在满足下一代半导体解决方案日益增长的需求。

据悉，Polar和瑞萨电子将共同扩大GaN器件的商业生产规模，重点覆盖其在关键行业的应用，包括汽车、数据中心、消费者、工业以及航空航天和国防市场。

利用Polar的专业制造知识和瑞萨电子成熟的功率半导体技术与商业领先地位，该战略合作可确保客户安全供应具有成本竞争力、高性能的GaN器件晶圆。

Polar Semiconductor总裁兼首席运营官Surya Iyer表示：“GaN是电源和射频领域的重要技术，与瑞萨电子合作，我们有能力提高商业生产能力，并推动下一轮半导体技术和产品创新。”

瑞萨电子电源产品集团高级副总裁兼总经理Chris Allexandre说：“很高兴与Polar合作，将我们经过验证的氮化镓技术扩展到200毫米晶圆中，并在广泛的电源转换市场为客户提供更多产品，以满足他们对高性能电源解决方案日益增长的需求。” （文 编）