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第07版:半导体

三星将于明年2月展示超高速24Gb GDDR7显存

本报讯 近日,三星宣布将于国际固态电路会议(以下简称“ISSCC”)期间展示其24Gb GDDR7显存。ISSCC将于2025年2月16日至2月20日在美国加利福尼亚州旧金山市举行。

据介绍,三星24Gb GDDR7显存采用了第五代10纳米级DRAM制程技术,使其在保持与前代产品相同封装尺寸的同时,单元密度提高了50%。该显存采用了三电平脉冲幅度调制(PAM3)信号技术,实现了显存中领先的40Gbps速率,根据使用环境的不同,最高性能可达42.5Gbps。此外,该产品还采用了电源门控设计,以减少电流泄漏,确保在高速运行时的稳定性。

三星电子内存产品规划执行副总裁YongCheol Bae表示,三星将持续引领显存市场,满足AI市场日益增长的需求。今年内,三星将与主要GPU客户开展24Gb GDDR7显存在下一代AI计算系统中的验证,并计划于明年年初实现商业化。此款显存的推出,将为数据中心和AI工作站等领域带来性能上的显著提升,助力行业发展。 (文 编)

2024-12-03 1 1 中国电子报 content_12273.html 1 三星将于明年2月展示超高速24Gb GDDR7显存 /enpproperty-->