本报讯 德州仪器（TI）近日宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓GaN材料的功率半导体产品，这也意味着德州仪器的整体GaN功率半导体产能升至以往4倍。

德州仪器技术和制造高级副总裁Mohammad Yunus表示：“凭借十多年来在氮化镓芯片设计和制造方面的专业知识，我们已成功验证了200mm氮化镓技术——当今最具可扩展性和成本竞争力的GaN制造方法，并在会津开始量产。这一里程碑使我们能够在内部制造更多的GaN芯片，到2030年，我们的内部制造率将达到95%以上，同时还可以从德州仪器的多个地点采购，确保我们整个GaN高功率、高能效半导体产品组合的可靠供应。”

会津GaN功率半导体生产线的投入量产也意味着德州仪器可将其GaN器件扩展到900V乃至更高的电压，开创更为广阔的应用场景；此外德州仪器今年早些时候成功进行了300mm晶圆GaN制造工艺的试点。（仪 文）