本报讯 10月29日，英飞凌宣布在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展。这种晶圆直径为300mm，厚度为20μm，是目前最先进的40~60μm晶圆厚度的一半。

继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。

据悉，由于将芯片固定在晶圆上的金属叠层厚度大于20μm，因此为了克服将晶圆厚度降低至20μm的技术障碍，英飞凌的工程师们必须建立一种创新而独特的晶圆研磨方法。这极大地影响了薄晶圆背面的处理和加工。此外，与技术和生产相关的挑战，如晶圆翘曲度和晶圆分离，对确保晶圆稳定性和一流稳健性的后端装配工艺也有重大影响。20μm薄晶圆工艺以英飞凌现有的制造技术为基础，确保新技术能够无缝集成到现有的大批量Si生产线中，而不会产生额外的制造复杂性，从而保证尽可能高的产量和供应安全性。

这项创新将有助于大幅提高功率转换效率、功率密度和可靠性，适用于AI数据中心，以及消费、电机控制和计算应用。与基于传统硅晶圆的解决方案相比，晶圆厚度减半可将基板电阻降低50%，功率损耗减少15%以上。超薄晶圆技术大大促进了基于垂直沟槽MOSFET技术的垂直功率传输设计。这种设计实现了与AI芯片处理器的高度紧密连接，在减少功率损耗的同时，提高了整体效率。（英 讯）