本报讯 记者谷月报道：日前，《中国电子报》记者了解到，国内面板厂商维信诺已完成采用嵌入式RRAM（阻变存储器）存储技术AMOLED显示驱动芯片的开发和认证。据悉，这是业界首次在AMOLED中采用嵌入式RRAM存储技术的显示驱动芯片。

维信诺研发人员向记者介绍称，该新型AMOLED显示驱动芯片由维信诺与驱动芯片设计公司昇显微电子联合开发。其中，维信诺负责RRAM技术的功能性、可靠性认证以及驱动芯片的性能优化，昇显微电子负责单体功能性认证。“当前，该芯片已获第三方机构单体可靠性认证，具备量产条件。”

近年来，伴随着AMOLED渗透率持续提升，AMOLED显示驱动芯片的需求也水涨船高。

Omdia数据显示，2024年，AMOLED显示驱动芯片的需求预计将同比增长19%。

然而，在保持高增量的同时，传统AMOLED显示驱动芯片却始终存在一些痛点。例如，一直以来，针对AMOLED显示屏面临显示亮度不均匀（mura）的共性问题，AMOLED显示驱动芯片需要集成Demura（提高显示器亮度均匀性）补偿功能补偿算法来优化显示效果。

目前，业界普遍采用“内置SRAM（静态随机存储器）+内置OTP（一次性可编辑存储器）+外置NOR Flash（非易失闪存）”的外部补偿模式，即外置一个存储器随时解决AMOLED面板的mura问题。而NOR Flash则具备高可靠性、快速读取等特性，加之在外部补偿模式下，屏幕对于容量的要求并不高，因此该方案成为传统AMOLED显示驱动芯片方案的主流选择。

但是，传统方案也带来了生产成本高、效率较低等问题。

具体来说，显示屏Demura补偿数据会先通过“烧录”的方式“搬运”到外置存储器，即将Demura补偿数据传到内置SRAM，再通过SRAM与外置Flash的SPI（串行外设接口）传输到外置Flash中。也就是说，传统方案不仅增加了外置Flash的成本，还带来了Demura补偿参数读取速度慢的问题。

而新型AMOLED显示驱动芯片将带来多重优势。

据维信诺研发人员介绍，新型AMOLED显示驱动芯片之所以采用嵌入式RRAM存储技术，是因为RRAM是通过器件本身电阻值的变化来实现存储功能的新型存储技术，集成了Demura SRAM、OTP和Flash三种功能于一体，不仅面积更小（RRAM可微缩到10纳米以下），能直接嵌入到40纳米的AMOLED显示驱动芯片内部，可缩减性更优异。而且，RRAM同时可取代芯片内部的Demura SRAM和OTP，相比SRAM存储面积可缩减30%，为其他性能的提升，如亮度补偿等腾出空间。此外，该芯片消除了数据从SRAM写入NOR Flash的过程，实现Demura补偿算法数据内部可随时“原地”读取，大大降低了数据“跑来跑去”所带来的消耗，可节省约4秒~6秒的烧录时间，提高产线效率，降本增效。