本报讯 近日，三星电子推出其旗下首款3nm GAA制程的可穿戴设备芯片Exynos W1000。三星方面表示，该芯片在保持小尺寸的同时提高了性能，为设备提供更多的电池空间，从而延长续航时间。

为了更快地在应用程序之间切换，Exynos W1000采用了全新CPU架构，即1个1.6GHz Cortex-A78高性能内核+4个1.5GHz Cortex-A55效率内核，这也是三星首款使用大核心的可穿戴处理器，并且效率内核相比上一代的Exynos W930提升了1倍。

三星方面表示，新架构提升了芯片性能，单核和多核基准测试分别实现340%和370%的改进。Exynos W1000配备了Arm Mali-G68 MP2 GPU，可以支持qHD （960×540）， 640×640分辨率。Exynos W1000集成了三星的LTE Cat.4 调制解调器，最大下行速率150Mbps，最大上行速率75Mbps，可支持GPS、GLONASS、北斗、伽利略等全球导航卫星系统（GNSS）。

此外，Exynos W1000还采用扇出式面板级封装（FOPLP） ，以实现小尺寸，并增加散热功能。同时，该芯片采用系统级封装（SiP）方式将电源管理IC（PMIC）集成在SIP-ePoP封装中，还使用嵌入式封装（ePoP）安装DRAM和NAND闪存，从而将各种组件集成到一个封装中。Exynos W1000支持低功耗的LPDDR5内存，并支持高达32GB的eMMC板载存储。 （星 言）