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第07版:半导体

三星3D DRAM技术取得突破 成功堆叠到16层

本报讯 近日,三星发布消息称已成功将下一代存储半导体3D DRAM堆叠到16层。

据悉,3D DRAM是垂直堆叠单元的VS-CAT。与现有的DRAM结构相比,可以放入更多的单元,并且电流干扰现象较少。VS-CAT将与现有的DRAM不同,是通过结合两片晶圆来制造。也就是说,将周边(逻辑)和存储单元分别附加。这与YMTC的Xtacking概念相似。存储行业相关人士解释道:“在3D DRAM的情况下,如果像现有DRAM一样将周边附加在单元层旁边,则会出现面积过大的问题。为了解决这个问题必须在不同的晶圆上制造驱动周边和单元,然后将其附加。”预计3D DRAM堆叠将应用晶圆对晶圆(W2W)形式的混合键合。W2W混合键合已经应用于闪存和CMOS图像传感器(CIS)。

三星电子在国际存储研讨会(IMW)2024小组讨论环节还提到了3D DRAM的背面供电(BSPDN)应用可能性。BSPDN是一种将电力和信号线布置在后面的技术,可以突破互连瓶颈,预计会用于2纳米以下的尖端非存储工艺。三星电子首次提到DRAM的BSPDN应用可能性。 (星 文)

2024-05-31 1 1 中国电子报 content_10424.html 1 三星3D DRAM技术取得突破 成功堆叠到16层 /enpproperty-->