本报讯 新思科技近日宣布，携手台积电在先进工艺节点设计开展广泛的EDA和IP合作，这些合作成果已应用于一系列人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和移动设计中。其中双方的最新合作是共同优化光子集成电路（PIC）流程，使硅光子技术赋能更高功率、性能和晶体管密度的需求。

目前，两家公司正在共同开发包括新思科技DSO.ai在内的下一代AI驱动型芯片设计流程，以提高芯片设计生产力。AI训练所需的海量数据处理要求低时延、高能效和高带宽的互连，新思科技和台积电正在面向其紧凑型通用光子引擎（COUPE）技术开发端到端多裸晶电子和光子流程解决方案，以提升系统性能和功能。该流程包括利用新思科技OptoCompiler进行光子集成电路设计，以及利用新思科技3DIC Compiler和Ansys多物理场分析技术进行电子集成电路（EIC）的集成。新思科技还针对台积电N2/N2P工艺开发了广泛的基础和接口IP产品组合。此外，新思科技、是德科技（Keysight）与Ansys共同推出了全新的集成射频（RF）设计迁移流程，以实现从台积电N16工艺节点至N6RF+工艺节点的迁移。

新思科技EDA事业部战略与产品管理副总裁Sanjay Bali表示：“新思科技在可投产的EDA流程和支持3Dblox标准的3DIC Compiler光子集成方面取得的先进成果，结合广泛的IP产品组合，让我们与台积电能够帮助开发者基于其先进工艺加速下一代芯片设计创新。我们与台积电数十年的紧密合作建立了深厚的信任，持续为业界提供了至关重要的EDA和IP解决方案，帮助合作伙伴实现跨工艺节点的快速设计迁移，从而大幅提高产品质量和生产力。” （新 文）