本报讯 近日铠侠公司CTO宫岛英史在第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，该公司将在2030—2031年间推出具有1000层堆叠的3D NAND闪存技术，并对存储级内存业务进行重组，以应对日益增长的数据存储需求。

铠侠与西部数据的合作在NAND闪存技术领域已经取得了显著成果，目前他们最先进的产品是218层堆叠的BICS8 3D闪存，这种闪存能够实现3200MT/s的I/O速率，为数据存储提供了更高的速度和效率。

在提升3D NAND闪存堆叠层数的过程中，技术难度也随之增加。特别是在蚀刻垂直通道的过程中，随着深宽比的增高，这一工艺的难度和成本都在不断上升。铠侠在BICS8中采用了双堆栈工艺，通过分开蚀刻两个NAND堆栈的垂直通道，降低了整体的难度。这种工艺的采用为未来千层堆叠NAND闪存的发展奠定了基础，有望包含更多个NAND堆栈，进一步提升存储密度。

宫岛英史还指出，铠侠在业务丰富程度上相较于同时运营NAND和DRAM的竞争对手处于劣势，因此有必要培育新型存储产品业务，如存储级内存（SCM）。在AI热潮的推动下，DRAM与NAND之间的性能差距正在扩大，而SCM的出现正好可以填补这一空白。

为了加强在SCM领域的研究和开发，铠侠于4月1日将“存储器技术研究实验室”重组为“先进技术研究实验室”，并将研究重点放在MRAM、FeRAM、ReRAM等新型内存技术上，预计在2~3年内实现出货。此前铠侠在SCM领域主要聚焦于XL-FLASH闪存方案，并在2022年推出了支持MLC模式的第二代XL-FLASH，显示出该公司在新型存储技术上的持续投入和创新能力。（铠 文）