本报讯 近日，英飞凌官微宣布推出CoolGaN G5中压晶体管。据悉，这是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。

在硬开关应用中，由于GaN器件的有效体二极管电压（VSD）较大，基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。据英飞凌介绍，新推出的CoolGaN G5中压晶体管可以通过减少不必要的死区损耗从而提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。

英飞凌新推出的该项新品是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管，能显著缓解功率损耗问题，适用于服务器和电信中间总线转换器IBC）、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源（PSU）和电机驱动等应用场景。

此外，采用这种新型CoolGaN晶体管后，反向传导损耗降低，能与更多高边栅极驱动器兼容，且由于死区时间放宽，控制器的兼容性变得更广，显著简化了设计。

英飞凌科技中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示：“随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛，英飞凌意识到需要不断改进和提升这项技术，才能满足客户不断变化的需求。此次推出的集成了肖特基二极管的CoolGaN G5晶体管体现了英飞凌致力于加快以客户为中心的创新步伐，进一步推动了宽禁带半导体材料的发展。”（英 讯）