本报讯 近日，市调机构Counterpoint Research发布的2025年第一季度DRAM市场报告显示，韩国存储芯片领军企业SK海力士以36%的营收市占率首次超越三星电子的34%，成为全球最大DRAM供应商。这一突破终结了三星长达30余年的行业主导地位，标志着SK海力士凭借在高带宽内存（HBM）领域的绝对优势，成功抓住AI算力革命的战略机遇。

SK海力士的逆袭核心在于其对HBM市场的绝对掌控。作为AI服务器的“刚需”组件，HBM通过垂直堆叠技术实现了传统DRAM无法企及的带宽和能效，成为支撑ChatGPT等大模型训练的关键硬件。

从市场结构看，HBM在DRAM总容量需求中的占比正快速攀升，预计2025年将突破5%，2033年更将占据DRAM市场的“半壁江山”。SK海力士在HBM市场的占有率高达70%，其最新推出的12层HBM3E芯片已独家供应英伟达最新一代AI加速器。2025年第一季度，HBM业务占SK海力士DRAM总销售额的40%以上，且公司预计到2027年HBM需求将以82%的年复合增长率爆发式增长。

技术层面，SK海力士在先进制程上的突破进一步巩固优势。基于1anm工艺的16GB DDR5 DRAM已实现量产，而全球首款12层HBM4芯片将于2026年投产，预计将带宽提升至1.2TB/s，功耗降低30%。相比之下，三星因1cnm DRAM良率问题被迫调整设计，HBM4量产进度落后SK海力士至少6个月。

SK海力士此前宣布2025年HBM产能售罄，且2026年订单已被提前锁定。

此次超越不仅是SK海力士的胜利，更是AI技术对半导体产业的一次“重构”。行业分析人士指出，SK海力士的逆袭绝非偶然，而是其过去十年持续投入HBM研发的“厚积薄发”。早在2013年HBM技术刚问世时，SK海力士便押注其未来潜力，通过混合键合等独家技术突破堆叠层数限制，最终在AI浪潮中实现“技术代差”优势。（姬晓婷）