本报讯 专注于3D DRAM、3D NAND存储器厂NEO Semiconductor发表最新3D X-AI芯片技术，以取代目前用于AI GPU加速器的HBM。

据悉，这款芯片在DRAM内配置了AI处理功能，当大量数据在存储器与处理器间传输时，可减少数据汇流排（DataBus）问题，提升AI效能与效率。

3D X-AI芯片的底部有神经元电路层，可处理同一芯片上300个存储器层所储存的数据。NEO Semiconductor表示，由于8000个中子电路（neutroncircuits）可在存储器中进行AI处理，该3D存储器效能可提升100倍，存储器密度比当前的HBM高8倍，通过减少在GPU中处理的数据量，可降低99%的耗电量。

X-AI容量为128GB，每个芯片可支援10TB/s的AI处理能力。将12个裸晶（X-AI）堆叠在单一HBM封装中，可实现超过1.5TB储存容量和120TB/s处理吞吐量。

NEO Semiconductor创始人兼CEO许富菖指出，目前的AI芯片浪费大量电力，这主要是因为其架构和技术效率较低。

许富菖表示，将数据储存在HBM并用GPU负责执行所有运算，这是当前AI芯片架构的常见操作。但这种架构将数据储存与处理分离，使数据汇流排成为无法避免的能效瓶颈。这样的架构方式不仅降低了数据传输与运算的效率，当大量传输数据传输时，耗电量也非常高。

当半导体传输速度越来越快、效率越来越高时，在元件之间传输数据的汇流排将成为瓶颈。由此，目前许多公司正在研究提高处理速度和通信吞吐量的技术。而3D X-AI技术将可协助元件实现加速。

台积电、英特尔、铠侠等公司都在研究光学技术，以加快主机板内的通信速度，通过将部分AI处理从GPU转到HBM，NEO Semiconductor可提升处理器系统整体的运算与能耗效率，使其高于当前的AI加速器。（微 文）