本报讯 近日，韩国存储芯片企业SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“2023闪存峰会”上，公布了321层1TB TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存开发的进展，并展示了现阶段开发的样品。SK海力士相关负责人表示：“以已经量产的238层NAND闪存所积累的技术经验为基础，SK海力士正在有序进行321层NAND闪存的研发，并计划于2025年上半年开始量产。”

据了解，SK海力士本次发布的321层1TB TLC NAND的效率比上一代的238层512GB提高了59%。

SK海力士NAND闪存开发担当副社长崔正达表示：“目前公司的第五代4D NAND 321层闪存产品的样品已经完成，这将巩固SK海力士在NAND闪存技术领域的领先地位，还将积极推出人工智能时代所需的高性能、大容量NAND闪存产品。SK海力士也在开发下一代PCI 6.0和UFS 5.0产品，提前布局未来市场。”

赛迪顾问集成电路中心高级分析师杨俊刚表示，闪存的层数越多，单位空间存储密度就越大，总存储容量就越容易增大。SK海力士此次的技术突破，有望降低其生产成本，并使SK海力士拥有最先进的闪存芯片定价权，这会为其增加更多的利润。另外，SK海力士借此进一步提高了自己的技术门槛，拉开与其他厂商的差距，使其在存储芯片市场上的竞争力和3D NAND闪存市场份额得到进一步增加。但层数并不是决定闪存性能的唯一指标，还需要对接口速度、可靠性、随机读取性能、低能耗、增加每单元位数等方面指标进行对比。（许子皓）