本报讯 三星电子日前宣布其采用12nm级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。与上一代产品相比，三星最新的12nm级DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圆生产率提高了20%。出色的能效表现，使它能够成为全球IT企业的服务器和数据中心节能减排的优秀解决方案。

据介绍，三星12nm级工艺技术的开发基于一种新型高k材料，这种新型材料有助于提高电池电容。高电容使数据信号出现明显的电位差，从而更易于准确区分。同时，三星在降低工作电压和噪声方面的成果，也让该解决方案更能满足客户的需求。三星12nm级DDR5 DRAM最高可支持7.2吉比特/秒（Gbps）的速度，相当于每秒可处理大约两部30GB的超高清电影。三星为满足客户需求将持续扩大12nm级DRAM的产品阵容，以支持越来越多的应用，助力包括数据中心、人工智能在内的下一代计算。

“采用差异化的工艺技术，三星12nm级DDR5 DRAM具备出色的性能和能效。”三星电子内存产品与技术执行副总裁Jooyoung Lee表示，“最新推出的DRAM反映了我们持续开拓DRAM市场的决心。这不仅意味着我们为满足计算市场对大规模数据处理的需求，提供高性能和高容量的产品，而且还将通过商业化的下一代解决方案，助力客户实现更高的生产力。”

三星在去年12月份完成了16Gb DDR5 DRAM与AMD的兼容性评估，并将继续与全球IT公司合作，推动下一代DRAM技术的创新。