本报讯 记者许子皓报道：近日，意法半导体和Soitec宣布就SiC晶圆制造技术合作达成协议。意法半导体表示，通过此次合作，意法半导体未来200mm晶圆生产将采用Soitec的SmartSiC技术，旨在通过中期量产增加器件和模块产量，认证工作将在未来18个月内开展。

Soitec拥有专利技术SmartSiC，可以剥离出高质量的碳化硅供体晶圆薄层，并将其键合到低电阻率的多晶硅晶圆上，助力改进器件的性能和生产良率。此外，优质的碳化硅晶圆可被多次重复利用，进而大幅降低生产的总能耗。

Soitec首席运营官安世鹏表示：“电动汽车正在颠覆汽车行业的发展。通过将我们专利的SmartCut工艺与碳化硅半导体相结合，SmartSiC技术将加速碳化硅在电动车市场的应用。Soitec的SmartSiC优化衬底与意法半导体行业领先的碳化硅技术、专业知识相结合，将推动汽车芯片制造领域的重大变革，并树立新的行业标准。”

扩产方面，记者从意法半导体方面了解到，意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅衬底制造厂，以满足意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求。根据官方信息，该新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。

产品方面，12月14日，意法半导体发布了新的碳化硅功率模块，可提高电动汽车性能和续航里程。现在该功率模块已用于现代汽车公司的E-GMP电动汽车平台，以及共享该平台的起亚EV6等多款车型。