专家点评：上海华力集成电路制造有限公司搭建的28纳米低功耗（射频）工艺平台能够提供两倍于 40nm工艺的gate闸极数量，以及微缩50%SRAM的Cell，在性能上相比40nm工艺有30%以上的优化，工艺性能达到国际先进水平。

技术创新：28纳米低功耗工艺在物理形态上引入双重图形技术、高选择比功率偏压脉冲刻蚀技术、原子层淀积工艺、低温镍硅结合及激光退火镍硅化物技术；增加六边形锗硅填充应力技术、闪光灯退火超浅结技术等，提升器件性能，并有效降低栅极漏电。

设计水平：该平台是国内领先的高端芯片制造工艺，不但提供完善的工艺模型、设计套件、标准单元库、常用IP，还提供了射频相关仿真工艺模型，拓宽了客户应用场景。