本报讯 12月11日，Vishay Intertechnology宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60V MOSFET——iSF20DN。

Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S（ON）的60V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。

日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S（ON） 典型值低至10mW，是3mm×3mm封装导通电阻最低的60V器件，比这一封装尺寸排名第二的产品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。从而降低电源通道压降，减小功耗，提高效率。为提高功率密度，SiSF20DN的RS1S2（ON） 面积乘积低于排名第二的替代MOSFET 46.6%，甚至包括6mm×5 mm较大封装解决方案。

为节省PCB空间，减少元件数量并简化设计，该器件采用优化封装结构，两个单片集成TrenchFET 第四代N沟道MOSFET采用共漏极配置。

SiSF20DN源极触点并排排列，加大连接提高PCB接触面积，与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24V系统和工业应用双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安防/监视和烟雾报警器。