本报讯 晶圆代工龙头台积电先进制程近期又推新产品——7纳米深紫外DUV（N7）和5纳米极紫外EUV（N5）制程的性能增强版本。被称为N7P和N5P的制程技术，专门为需要7纳米设计运算更快或消耗电量更少的客户所设计。

据悉，台积电全新N7P制程技术采用与N7相同设计规则，但优化前端（FEOL）和中端（MOL）架构，可在相同耗能下，将性能提升7%，或者在相同的性能频率下，降低10%的能耗。

台积电最早是于今年在日本举办的VLSI研讨会透露的有关全新N7P制程技术的相关信息，不过当时并没有进行广泛宣传。N7P目前采用经验证的深紫外（DUV）光刻技术，与N7制程技术相比，没有改变电晶体密度。针对需要电晶体密度高出约18%~20%的客户，台积电预计建议使用N7+或N6制程技术。N6制程技术采用极紫外（EUV）光刻技术进行晶圆多层处理。

除了N7P的新制程技术，台积电下一个显著提升电晶体密度、改进功耗和性能的主要制程节点，就是5纳米N5制程技术。台积电为此特提供定名为N5P的性能增强版本，采用FEOL和MOL优化功能，以便在相同功率下使芯片运行速度提高7%，或在相同频率下将功耗降低15%。