本报讯 日前，集邦咨询旗下拓墣产业研究院发布报告，由于现行射频前端器件制造商因手机通信器件的功能需求，逐渐以GaAs晶圆作为器件的制造材料，加上随着5G建设逐步展开，射频器件使用量较4G时代倍增，预料将带动GaAs射频器件市场于2020年起进入新一波成长期。

拓墣产业研究院指出，由于射频前端器件特性，包含耐高电压、耐高温与高频使用等，在4G与5G时代有高度需求，传统如HBT和CMOS的Si器件已无法满足，厂商便逐渐将目光转移至GaAs化合物半导体。

而GaAs化合物半导体凭借本身电子迁移率较Si器件快速，且具有抗干扰、低噪声与耐高电压等特性，因此特别适合应用于无线通信中的高频传输领域。

由于4G时代的手机通信频率使用范围已进展至1.8GHz—2.7GHz，传统3G的Si射频前端器件已不够使用，加上5G通信市场正步入高速成长期，其使用频段也将更广泛，包含3GHz—5GHz、20GHz—30GHz，因此无论是4G或5G通信应用，现行射频器件都将逐渐被GaAs取代。

若以目前市场发展来看，2018年下半年受到手机销量下滑影响，冲击GaAs通信器件IDM厂营收，预估2019年，IDM厂的总营收将下滑至58.35亿美元，约下降8.9%。

然而，随着5G通信持续发展，射频前端器件使用数量将明显提升，如功率放大器（PA）使用量，由3G时代的2颗、4G的5颗～7颗，提升至5G时代的16颗。将带动2020年整体营收成长，预估GaAs射频前端器件总营收将达64.92亿美元，年增11.3%。

整体而言，随着各国持续投入建设5G基站等基础设施，预估在2022年将达到高峰，加上射频前端器件使用数量较4G时代翻倍，将可望带动IDM大厂Skyworks（思佳讯）、Qorvo（威讯）新一波营收成长动能。 （微 文）