专家点评：作为业界首家提供超级结工艺平台为客户生产制造超级结产品的晶圆代工企业，上海华虹宏力半导体制造有限公司研发的具有自主知识产权的深槽型超级结工艺平台，关注技术创新，始终关注知识产权的保护，形成了自己的发明专利知识产权体系。

技术创新：高压大功率双沟槽型超级结工艺平台是典型的600V级别产品，比初代产品降低了60%以上，达到业界领先水平。拥有更快的开关速度、更低的开关损耗、更小的芯片面积，并且保持强雪崩耐量和抗电磁干扰能力。

设计水平：该平台采用了更小元胞间距、更大深宽比，且更为垂直的Trench结构，有利于在降低器件比导通电阻的同时，提升器件的反向击穿电压。双沟槽结构消除了JFET效应，拥有更低的栅电荷表现Qg。