物理气相沉积（PVD）是半导体芯片生产过程中最关键的工艺之一，溅射靶材就是用于上述工艺中的一个关键耗材。

一方面，应半导体芯片制造商对降低成本的要求，晶圆直径已由原来的2英寸增加到目前的12英寸，这使一个晶圆上一次生产的芯片数量大幅增加，进而大幅降低成本；另一方面，伴随技术进步，在130nm、90nm制程中，各厂家主要使用8英寸晶圆，对应8英寸靶材，在65nm、45nm及目前最先进的7nm线宽工艺，集成度大幅提高，各厂家主要使用12英寸晶圆，对应12英寸靶材。这一变化，虽然降低了半导体芯片制造商的成本，但对溅射靶材而言，要求其尺寸增大，其溅射薄膜面积增大，对靶材性能要求也大幅提高。

特别是，当芯片线宽由原来的180~130nm减小到45~28nm时，半导体用溅射靶材由原来的Al/Ti系列向Cu/Ta系列发展，这是半导体芯片镀膜技术发展的必由之路。钽材料作为制备防止Cu原子向Si扩散的阻挡层薄膜材料被引入半导体行业，使得半导体钽靶材成为以CPU为代表的集成电路制造过程中一种关键的溅射靶材。

目前，芯片制造大厂如英特尔、台积电、意法半导体等国际大厂陆续在中国大陆建立工厂。但是，以12英寸为代表的、制备芯片非常关键的半导体用Al、Ti、Cu、Ta、W等金属靶材，国内主要依赖进口，这使我国芯片安全存在重大隐患。目前，我国还没有一个国家或全行业层面的联盟或协会，组织联合国内半导体产业链上的上、下游企业，实施顶层设计，推动我国半导体靶材本土化。

在产业链上，钽靶材的市场一般分为三段，钽靶坯制造商（负责靶坯制备，包括组织性能控制），钽靶材制造商（负责成品钽靶材制备，包括焊接、成品加工及清洗），芯片制造商（负责钽靶材溅射镀膜）。目前，世界范围内12英寸钽靶材制造商主要有日本Tosoh、美国Honeywell、日本Nikko、德国H.C.Starck四家，他们均通过专利进行技术保护，或进行技术保密。国内中色东方作为钽靶坯制造商，12英寸钽靶坯技术研发取得长足进步，但无机会和平台进入市场；宁波江丰电子作为靶材制造商，拥有钽靶材制造能力，并已进入中芯国际等IC制造企业。

希望国内靶材行业能凝心聚力，建立半导体靶材产业链各关键端的反馈机制，形成技术合力，攻克技术壁垒；对包括钽靶材在内的半导体靶材的本土化，在初始阶段请求国家给予政策资金支持，帮助企业突破成本壁垒，进入市场，进而再做大做强。