本报讯 新思科技近日宣布，与纳米电子和数字技术领域世界领先的研究和创新中心Imec的长期合作中，又创下新一个里程碑：双方成功合作完成了第一项综合性互补FET（Complementary FET，CFET）架构亚3nm寄生参数变异建模和延时敏感度研究。与传统的FinFET相比，CFET更有潜力显著减小面积，因此在3nm及以下的工艺节点中，CFET是一种保持面积缩放性的有前途的选择。

在3nm和2nm工艺技术中，由于金属线高电阻、通孔和表面散射等因素的影响，中段工艺（MOL）参数和互连的变异幅度显著增加。因此，对寄生参数变异和敏感度建模是将CFET引入主流生产的重要因素。

通过在工艺开发的早期阶段进行预测，代工厂能够创建更稳健、变异容忍度更高的晶体管、标准单元和金属互连方法。新思科技研发中心和Imec研究团队密切合作，利用QuickCap NX3D场解算器支持对各种器件架构的寄生效应快速、准确地建模，并确定最关键器件尺寸和属性。由此可优化CFET器件，实现更好的功耗/性能平衡。QuickCap NX通过建立标准规范的基准值，可以有效地帮助工艺工程师了解电路性能对工艺参数变化的敏感度，提高建模准确性。QuickCap NX是一整套工具中的一员，该组工具还包括Raphael TCAD提取一直到针对最大系统级芯片（SoC）的StarRC寄生参数提取。 （陈炳欣）