本报讯 根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）数据，2018年NAND Flash市场全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免成长过多导致过剩状况加剧。

DRAMeXchange调查指出，2018年因供过于求难以遏制，韩国供应商带头降低资本支出。NAND Flash总体资本支出下调近10%，但供需失衡的情形仍无法逆转。2019年美国厂商减少资本支出，使得NAND Flash整体资本支出较2018年持续下滑约2%，总支出规模约为220亿美元。

受到供应商扩产计划调整的影响，尽管各供应商已于2018年第四季度起量产92/96层3D NAND，但直至2019年底将仅占约32%的位元产出，而64/72层的产出占比则超过50%。供应商制程推进的放缓将导致2019年NAND Flash成长仅约38%，相比2018年逾45%的水平明显下降。

SK海力士、东芝、西数分别有M15以及Fab6的新厂扩建，但同样受到减产计划或转产旧制程的影响，产出年成长率或低于预期。DRAMeXchange预期会各自下修到50%以下，以及约35%的水位，以反映今年市场需求的急剧下降。