本报讯 基本半导体日前正式发布国内首款拥有自主知识产权的工业级碳化硅MOSFET，该产品各项性能达到国际领先水平，其中短路耐受时间更是长达6μs。碳化硅MOSFET的发布，标志着基本半导体在第三代半导体研发领域取得重大进展，自主研发的碳化硅功率器件继续领跑全国。

近年来，基于硅（Si）、砷化镓（GaAs）半导体材料的功率器件受材料性能所限，正接近物理极限，产业发展进入瓶颈期。而以碳化硅为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电场强度高、热导率高、电子饱和速率高等特点，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，在新能源汽车、新能源发电、轨道交通、航天航空、国防军工等极端环境应用有着不可替代的优势，当前第三代半导体产业已进入爆发增长期。

碳化硅MOSFET是具有代表性的碳化硅功率器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。相比于传统的硅基IGBT，碳化硅MOSFET可带来一系列系统级优化，包括提高效率、提升功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本，可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。

基本半导体掌握了国际一流的碳化硅研发技术，致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。1200V碳化硅MOSFET是基本半导体发布的第二款重量级产品，首款产品3D SiC系列碳化硅肖特基二极管已于2018年3月上市，产品推出后获得众多客户认可。此次发布的碳化硅MOSFET是第一款由中国企业自主设计并通过可靠性测试的工业级产品。

基本半导体1200V碳化硅MOSFET采用平面栅工艺和元胞镇流电阻设计，具有导通电阻低、温度特性优良和开启电压较高等特点，产品性能优越。其中短路耐受时间长达6μs，阈值电压Vth≥2.9V（25℃）。目前产品已通过多家客户的测试认证，进入批量供应阶段。

（陈炳欣）