华虹宏力 95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器工艺平台

华虹宏力的95纳米5V SG eNVM工艺通过优化基本存储单元的结构和IP的设计，令其具有较小的面积和较低的读取功耗（40μA/MHz），器件静态功耗Ioff也只有0.5pA。CPU内核的速度达到50MHz，完全满足了8位MCU产品应用的需求。在设计上，该工艺还支持整合电可擦可编程只读存储器（EEPROM）和闪存（Flash）的单一IP设计，把EEPROM的高性能和Flash的面积优势体现在一颗IP上，相比于两个IP的设计，大大节约了面积成本。华虹宏力的95纳米5V SG eNVM工艺平台，为客户提供高性价比的制造工艺，助力客户在庞大的8位MCU应用市场提高竞争力。目前已有多家客户采用该工艺平台进行了多款产品设计并成功进入批量生产。