本报讯 6月23日，英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行了开工仪式。项目占地368亩，一期总投资60亿元，产品覆盖低压至高压半导体功率器件和射频器件，将在长三角地区打造集研发、设计、外延生长、芯片制造为一体的宽禁带半导体基地，填补我国高端半导体器件的产业空白。

据介绍，英诺赛科由海归创业团队创立，在第三代宽禁带半导体全产业链各个环节拥有多年研发与产业化经验，掌握多项核心专利技术。继8英寸硅基氮化镓项目于2017年年底在珠海市成功通线以来，英诺赛科获得半导体行业和投资界的广泛认可和关注。英诺赛科苏州项目将借助长三角地区半导体产业集群效应和政策优势，与上下游先进制造企业协同发展，填补我国高端半导体器件的产业空白，为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展和其他转型升级行业提供先进、高效、节能和低成本的核心电子元器件，加强与国内外战略合作伙伴的共赢发展。

作为后摩尔时代的主要技术代表，宽禁带半导体器件以其更大的禁带宽度、更强的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，展现出相对传统硅功率半导体器件的全面性能优势和大规模产业应用优势，硅基氮化镓工艺及制造在成本和单片集成的突破也会带来革命性的变化。 （陈炳欣）