本报讯 记者陈炳欣报道：6月1日，重庆万国半导体科技有限公司12英寸功率半导体芯片项目试生产启动仪式举行。重庆万国半导体科技有限公司由美国AOS万国半导体科技有限公司、重庆战略性新兴产业股权投资基金和重庆两江新区战略性新兴产业股权投资基金共同出资组建。

该项目包括晶圆制造与封装测试两大部分，2017年2月12日开工建设，2018年1月22日封测厂开始搬入设备并装机，3月15日晶圆厂开始搬入设备并装机。目前封测开始进入试生产阶段，晶圆厂亦将于第三季度试生产，预计今年年底，所有工程将全面完工、开始投产。项目一期预计每月生产2万片芯片、封装测试5亿颗芯片，年产值将达4亿美元；二期预计每月生产5万片芯片、封装测试12.5亿颗半导体芯片，年产值将达10亿美元。

AOS万国半导体董事长、CEO、重庆万国半导体董事长张复兴在致辞中表示，重庆万国半导体12英寸功率半导体芯片及封装测试项目从2017年2月12日开工，历时16个月。凭借AOS优越的技术与成熟的产品，重庆万国半导体将建设成世界一流的功率半导体企业。

AOS万国半导体还在重庆举办了“AOS技术交流高峰论坛”。张复兴在主题演讲中对功率半导体在绿色节能产业中所发挥的作用进行了详细介绍，同时表示AOS万国半导体将承担起企业社会责任，推进功率半导体技术的发展。IGBT发明人B Jayant Baliga教授、美国伦斯勒理工学院终身教授T Paul Chow，受到组委会特别邀请出席论坛，发表专题演讲。