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编辑:林美炳
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和莲光电与glō展示高亮度Micro LED
 
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3上一篇 2018年5月25日 放大 缩小 默认        

和莲光电与glō展示高亮度Micro LED

 

本报讯 在SID Display Week 2018上,glō、和莲光电(JDC)首次展示了高亮度的面板。glō开发和集成的μLED(10μm),配合JDC的新型硅基背板CMOS ,亮度可达100000nits,有利于应用于手表、手机、平板电脑、显示器(HUD)等。

本次展品为0.7英寸单色显示器,分辨率达640×360,可达1000ppi的水准。LED是以单色绿色芯片发光为基础。

JDC可以利用专为满足高性能μLED器件需求定制化背板。JDC在数字调制图元数组方面目前处于领先水平,也是未来μLED背板应用上的关键技术。因此未来μLED发展将逐渐扩大,为此JDC应用总监Jeffrey Li对自家硅基板的CMOS背板新技术能为未来新产品带来的可能性而感到十分兴奋。

JDC指出,硅基板的新技术“JD67E2”,证明了实现μLED的能力。搭配 glō的超高效率μLED,再加上他们的硅基板CMOS集成的专业知识,可以制作高亮度的自发光显示器。“目前背板技术可以客制化符合客户显示的需求,使我们能够制造从低功率AR头戴式显示器到投影显示器等各种专用硅基板的CMOS背板。”

全彩化JD67E2的分辨率,目前可达1920×1080,像素间距为8μm,并通过特有的电流控制,提供好的电流均匀性。以使画素数组的均匀性达99%。另外除了增加的亮度和对比度外,JDC的逐像素脉宽调制技术非常适合μLED,因为数字转换可实现精确和一致的颜色;单通态电流将提供单一稳定的颜色,将可达到较高的颜色均一性。

 
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