本报讯 集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，中国存储器产业目前以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于行动式内存的合肥长鑫，以及晋华集成三大阵营为主。以目前三家厂商的进度来看，其试产时间预计将在2018年下半年。由于三大阵营量产的时间可能皆落在2019年上半年，因此，2019年或将成为中国存储器生产元年。

DRAMeXchange指出，从三大厂目前布局进度来看，合肥长鑫的厂房已于去年6月封顶完工，去年第三季度开始移入测试用机台。合肥长鑫目前进度与晋华集成差别不大，试产时间将会落于今年第三季度，量产时间则暂定在2019年的上半年，较预期落后。此外，由于合肥长鑫直攻三大DRAM厂最重要产品之一的LPDDR4 8Gb，后期面临专利争议的可能性也较高，为了避免这一状况，除了积极累积专利权外，中国销售市场在初期的重要性也不能忽视。

反观晋华集成，在2016年7月宣布在福建省晋江市建12英寸厂，投资金额约53亿美元，以目前进度来看，其内存的试产延后至今年第三季度，量产也将始于明年上半年。

此外，从中国厂商NAND Flash的发展进程来看，2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动土，官方预期分三阶段，共建立三座3D—NAND Flash厂房。第一阶段厂房已于去年9月完成兴建，预定2018年第三季开始移入机台，并于第四季进行试产，初期投片不超过1万片，用于生产32层3D—NAND Flash产品，并预计在64层技术成熟后，拟定第二、三期生产计划。

集邦咨询半导体研究中心指出，根据中国存储器厂商的研发与产出计划，2019年将是中国存储器产业的生产元年，但也由于两家DRAM厂预估初期量产规模不大，短期尚不会撼动全球市场现有格局。