专家点评：作为国内领先的12英寸晶圆代工厂和国家“909工程”升级建设的主体，上海华力微电子有限公司自主研发的55纳米SONOS嵌入式闪存工艺，具有高可靠性、超低成本、高良率的特点，各项技术指标和产品市场应用水平已经达到国际先进水平。

技术创新：在55纳米逻辑平台上仅增加了4张光罩，与业界其他量产的55纳米嵌入式闪存技术（需要额外加入9~12张光罩）相比，具有非常强的成本优势。目前成品率已经稳定达到97%，在成本和量产制造方面达到国际先进水平。

设计水平：该工艺是国际上首家量产的55纳米SONOS嵌入式闪存技术，获得发明专利25项，其中国内发明专利23项、国际专利2项，同时发表高质量论文3篇。