本报讯 5G将于2020年迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，第三代半导体材料碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）的发展将被带动。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。

拓墣产业研究院指出，相较目前主流的硅晶圆（Si），第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外，也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势，不仅可使芯片面积可大幅减少，并能简化周边电路的设计，达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积的效果。除了轻化车辆设计之外，因第三代半导体的低导通电阻及低切换损失的特性，也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失，两者对于电动车续航力的提升有相当的帮助。因此，SiC及GaN功率组件的技术和市场发展，与电动车的发展密不可分。

然而，SiC材料仍在验证与导入阶段，现阶段车用领域仅应用于赛车，因此，全球现阶段的车用功率组件，采用SiC的解决方案的面积不到千分之一。另一方面，目前市场上的GaN功率组件则以GaN-on-SiC及GaN-on-Si两种晶圆进行制造，其中GaN-on-SiC在散热性能上最具优势，相当适合应用在高温、高频的操作环境，因此在5G基站的应用能见度最高、预期SiC基板未来五年在通过车厂验证、2020年5G商用的带动下，将进入高速成长期。

尽管GaN基板在面积大型化的过程中，成本居高不下，造成GaN基板的产值目前仍小于SiC基板。除了高规格产品使用GaN-on-SiC的技术外，GaN-on-Si的成本优势，成为目前GaN功率组件的市场主流，在智能手机所需的电源管理芯片及充电系统的应用最具成长性。