第07版:集成电路
3上一版  下一版4
 
3nm渐行渐近,先进制程如何延续?
编辑:诸玲珍
晶瑞股份拟投建晶瑞(湖北)微电子材料项目
三安光电荣获国家科技进步奖一等奖
华虹七厂完成首批功率器件产品交付
 
版面导航
 
3上一期
3上一篇  下一篇4 2020年1月14日 放大 缩小 默认        

三安光电荣获国家科技进步奖一等奖

 

本报讯 1月10日,2019年度国家科学技术奖在北京揭晓。三安光电及中科院半导体研究所等单位联合完成的“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目获国家科技进步奖一等奖。该项目历时十余年,形成具有我国自主知识产权的高光效、长寿命半导体照明成套技术,关键指标达国际领先。项目成果实现大规模产业化推广,在北京奥运会、“十城万盏”示范工程等重大工程实现示范应用。

多年来,半导体照明产品面临电光转化效率低、长期工作可靠性差、标准缺失等难题。该项目主要面对这些难题,从半导体照明材料、芯片、封装、模组与应用全链条开展产研联合技术攻关,最终形成了具有自主知识产权的高光效长寿命半导体照明全套技术。

项目主要完成人、中科院半导体研究所研究员李晋闽介绍,目前,我国已有近50%的传统光源被LED产品所取代,每年累计实现节电约2800亿度,相当于3个三峡水利工程的发电量。

三安光电副总经理蔡文必表示,以氮化物基发光二极管(LED)为核心器件的新一代半导体照明光源具有高效节能、绿色环保的特点,是全球最有发展前景的高技术产业之一。随着各国淘汰白炽灯计划进一步实施,LED通用照明市场将呈现爆发式增长。此次项目成果包括p型氮化物掺杂与量子阱结构设计、微纳图形化衬底及成核技术、新型缓冲层的高质量氮化物外延技术、激光诱导光提取技术等多项外延芯片技术率先在三安光电进行推广与量产,促进三安光电作为全球知名外延芯片厂的技术发展,实现了我国半导体照明芯片由完全依赖进口发展到自主可控全面国产化,LED芯片及应用产品出口至欧美多个国家,实现了自主研制的半导体照明芯片取代进口,促进半导体照明终端产品大规模的推广应用。

 
3上一篇  下一篇4  
  


电子信息产业网 http://www.cena.com.cn
中国电子报社版权所有。未经许可,不得转载或镜像。
地址:北京市海淀区紫竹院路66号赛迪大厦8层 邮编:100048
订阅电话:010-88558892 | 88558816

 

关闭