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三星80亿美元闪存芯片项目落户西安
编辑:顾鸿儒
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3上一篇  下一篇4 2019年12月17日 放大 缩小 默认        

三星80亿美元闪存芯片项目落户西安

本报记者 顾鸿儒
 

从“尚未决定”到“最终落户”,三星电子二期第二阶段投资落户西安。据最新消息,三星电子在西安的闪存芯片项目二期投资80亿美元落地。在今年5月份,三星电子曾表示,尚未决定对中国西安的第二条闪存芯片生产线进行额外投资的计划,具体情况将取决于市场状况。

第二阶段80亿美元投资正式启动

12月10日,三星电子闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。

2012年,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,成为了三星海外投资历史上投资规模最大的项目,一期投资108亿美元,建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目,于2014年5月竣工投产。

二期项目总投资150亿美元,2018年3月正式开工建设,主要制造闪存芯片。其中,第一阶段投资约70亿美元,明年3月竣工投产;第二阶段投资80亿美元,2021年下半年竣工。据了解,三星电子闪存芯片二期项目建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元。

早在2019年5月,“三星电子二期投资即将落地”的传言在业内散开。随后,三星电子表示,尚未决定对中国西安的第二条闪存芯片生产线进行额外投资的计划,并表示第二期投资情况将取决于存储市场的走势。

“铠侠的跳电事件导致产能下降,加上各厂商的减产等因素,NAND Flash的单价有所回升。”赛迪顾问分析师杨俊刚对《中国电子报》记者说。

存储芯片回暖 三星投资提前落地

经过了一年的价位下滑,年底存储市场或将迎来止跌反弹。据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新预测,2019年第三季度,NAND Flash厂商营收季增10%,约达到119亿美元。

“明年闪存市场回暖,需求量增加,三星在此时加快扩产在情理之中。”赛迪智库集成电路研究所黄阳棋对记者说。

据集邦咨询半导体研究中心发布最新预测报告,称三星电子在新产能方面,西安二期仍依规划于2020年上半年投产。然而三星电子二期第二阶段的投资落地,比分析机构预测的提前。

杨俊刚表示,提前决定二厂的投资,将会引进新设备,快速的扩充产能,应对市场的需求。三星这个投资将会增加新制程产能,继续巩固三星存储器龙头的地位,继续加大中国存储器市场份额。

“由于三星在韩国的12厂和16厂设备比较陈旧,未来应对新的市场机遇将会减产,提升新制程,将产能往西安和平泽转移,届时西安厂将会持续扩大产能,预计达到18万片/月。”杨俊刚说。

 
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