第08版:集成电路
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节能减排热潮倒逼碳化硅材料和芯片产业化
编辑:诸玲珍
科锐将建造全球最大SiC制造工厂
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3上一篇  下一篇4 2019年9月27日 放大 缩小 默认        

科锐将建造全球最大SiC制造工厂

 

本报讯 近日,科锐在官网宣布扩产计划进展,表示将在美国纽约州建造全球最大碳化硅(SiC)制造工厂。

通过与纽约州州长办公室以及其他州立与当地机构和实体的战略合作,科锐决定在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm功率和射频(RF)晶圆制造工厂,而与之相辅相成的超级材料工厂的建造扩产正在公司达勒姆总部开展进行。

作为该合作的一部分,科锐将投资近10亿美元,用于在纽约州Fab的建造、设备和其他相关成本。纽约州将提供来自Empire State Development的5亿美元资金,同时科锐可以享受额外的当地激励政策和减税以及来自纽约州立大学的设备和工具。

这一新制造工厂旨在显著提升用于Wolfspeed碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)业务的产能,将建设成为一座规模更大、高度自动化和生产能力更高的工厂。

新工厂计划于2022年实现量产,完工面积达到4.5万平方米,其中近1/4将是超净间,提供未来所需产能扩充。这些扩展计划,将进一步提升科锐在市场竞争中的领先地位,加速碳化硅(SiC)在一系列高增长产业中的采用。

科锐指出,公司将继续推进从硅(Si)向碳化硅(SiC)技术的转型,满足公司开创性Wolfspeed技术日益提升的需求,支持电动汽车(EV)、4G/5G移动和工业市场的不断增长。

 
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